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存储芯片运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术,Crossbar称单芯片容量达1TB,写入速度比NAND闪存快20倍
来源:思泰佳电子   更新时间:2013-8-9 3:01:29   浏览次数:6387   文字大小:[大] [中] [小]

存储器芯片运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术,Crossbar称单芯片容量达1TB,写入速度比NAND闪存快20倍。

最近,Crossbar公司公开表示开发出一种新的存储器。运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术,可以在一颗200平方毫米大小的芯片内存储1TB的数据。不仅如此,该芯片的编程写入速度将是目前烧录速度最快的NAND存储器的20倍(140MB/S),寿命更是NAND存储器芯片的10倍,且功耗将会低至NAND存储器的1/10。

目前采用的RRAM技术有三层结构,可以进行3D堆叠,任然有很大的扩展空间。以下为RRAM 3D堆叠阵列模拟图。

存储芯片运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术,Crossbar称单芯片容量达1TB,写入速度比NAND闪存快20倍

3D 堆叠阵列


同样为25nm 8GB的内核面积,NAND闪存大小为167mm²,而RRAM只有77mm²。在出现了25nm技术以后,NAND闪存在制造技术方面出现问题,是的性能和寿命出现了严重的下滑。而RRAM的发展目前可预见的极限为5nm,甚至可以超过这个数值。一下为RRAM与NAND面积的比较图。

存储芯片运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术,Crossbar称单芯片容量达1TB,写入速度比NAND闪存快20倍

RRAM与NAND面积比较

存储芯片运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术,Crossbar称单芯片容量达1TB,写入速度比NAND闪存快20倍

RRAM相比于NAND的优势

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